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SQJQ184E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET ROHS COMPLIANT: YES
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1 556 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,950 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
34,75 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJQ184E-T1_GE3
Code Commande47AK1689
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id430A
Drain Source On State Resistance0.0014ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-8L
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation600W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
430A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-8L
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SQJQ184E-T1_GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits