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SQJQ466E-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 200 A, 0.0019 ohm, PowerPAK, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJQ466E-T1_GE3
Code Commande15AC8694
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,200 $ |
| 10+ | 4,010 $ |
| 25+ | 3,700 $ |
| 50+ | 3,410 $ |
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Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJQ466E-T1_GE3
Code Commande15AC8694
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id200A
On Resistance Rds(on)0.0017ohm
Drain Source On State Resistance0.0019ohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd150W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation150W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0017ohm
Transistor Case Style
PowerPAK
Power Dissipation Pd
150W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
0.0019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SQJQ466E-T1_GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit