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SQJQ570ER-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 150V, 189A, POWERPAK 8X8LR
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJQ570ER-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Mise en bobine51AM4730RL
Bandes découpées51AM4730
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 7,310 $ | 7,31 $ |
| Total Prix | 7,31 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,310 $ |
| 50+ | 4,910 $ |
| 100+ | 3,550 $ |
| 250+ | 3,350 $ |
| 500+ | 3,140 $ |
| 1000+ | 3,080 $ |
| 2500+ | 3,010 $ |
| 5000+ | 2,950 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJQ570ER-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Mise en bobine51AM4730RL
Bandes découpées51AM4730
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id189A
Drain Source On State Resistance0.0041ohm
Transistor Case StylePowerPAK 8 x 8LR
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation375W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
189A
Transistor Case Style
PowerPAK 8 x 8LR
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0041ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit