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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,510 $ |
| 10+ | 5,020 $ |
| 25+ | 4,650 $ |
| 50+ | 4,270 $ |
| 100+ | 3,900 $ |
| 250+ | 3,870 $ |
| 500+ | 3,840 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQM110P06-8M9L_GE3
Code Commande75AH9227
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id110A
On Resistance Rds(on)0.0071ohm
Drain Source On State Resistance0.0089ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation230W
Power Dissipation Pd230W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0071ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
230W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
110A
Drain Source On State Resistance
0.0089ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
230W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit