Imprimer la page
SQM120N10-3M8_GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 120A, 175DEG C, 375W ROHS COMPLIANT: YES
89 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,770 $ |
| 10+ | 4,550 $ |
| 25+ | 4,120 $ |
| 50+ | 3,670 $ |
| 100+ | 3,240 $ |
| 250+ | 3,160 $ |
| 500+ | 3,050 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQM120N10-3M8_GE3
Code Commande
Mise en bobine75AH9229
Bandes découpées75AH9229
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance3800µohm
On Resistance Rds(on)0.003ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation375W
Power Dissipation Pd375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3800µohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
On Resistance Rds(on)
0.003ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits