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1 823 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,240 $ |
| 10+ | 1,070 $ |
| 25+ | 1,070 $ |
| 50+ | 1,030 $ |
| 100+ | 0,983 $ |
| 250+ | 0,979 $ |
| 500+ | 0,936 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,24 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQS415ENW-T1_GE3
Code Commande99AC9602
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.0161ohm
On Resistance Rds(on)0.013ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd62.5W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation62.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0161ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
16A
On Resistance Rds(on)
0.013ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
62.5W
Power Dissipation
62.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SQS415ENW-T1_GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits