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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,690 $ | 2,69 $ |
| Total Prix | 2,69 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,690 $ |
| 50+ | 1,720 $ |
| 100+ | 1,150 $ |
| 250+ | 1,030 $ |
| 500+ | 0,910 $ |
| 1000+ | 0,832 $ |
| 2500+ | 0,809 $ |
| 5000+ | 0,787 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQS484ENW-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant38 semaines
Code Commande
Mise en bobine57AJ0721RL
Bandes découpées57AJ0721
Gamme de produitTrenchFET
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id16A
On Resistance Rds(on)0.0065ohm
Drain Source On State Resistance8000µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd62.5W
Power Dissipation62.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0065ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
62.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
62.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Produits de remplacement pour SQS484ENW-T1_GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
