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SUD19P06-60-GE3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 19 A, 0.06 ohm, TO-252AA, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 42 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 0,743 $ |
| 4000+ | 0,668 $ |
| 6000+ | 0,644 $ |
| 10000+ | 0,630 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2000
Multiple: 2000
1 486,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUD19P06-60-GE3
Code Commande71T8060
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id19A
On Resistance Rds(on)0.048ohm
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.3W
Rds(on) Test Voltage20V
Transistor Case StyleTO-252AA
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation2.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The SUD19P06-60-GE3 is a 60VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high side switch for full bridge converter and DC-to-DC converter for LCD display applications.
- 100% UIS tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Halogen-free
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.048ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
20V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
19A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Power Dissipation Pd
2.3W
Transistor Case Style
TO-252AA
Power Dissipation
2.3W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit