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SUD23N06-31-GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 21.4 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 10 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 0,630 $ |
| 4000+ | 0,566 $ |
| 6000+ | 0,546 $ |
| 10000+ | 0,534 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2000
Multiple: 2000
1 260,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUD23N06-31-GE3
Code Commande29X0559
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id21.4A
Drain Source On State Resistance0.031ohm
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd31.25W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation31.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The SUD23N06-31-GE3 is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC Converter applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21.4A
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
31.25W
Power Dissipation
31.25W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit