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SUP85N10-10-E3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 85 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Through Hole
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 4,300 $ |
| 1000+ | 4,130 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 500
Multiple: 500
2 150,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUP85N10-10-E3
Code Commande06J8578
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id85A
Drain Source On State Resistance0.012ohm
On Resistance Rds(on)0.012ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd250W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleTO-220AB
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The SUP85N10-10-E3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220AB
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
85A
On Resistance Rds(on)
0.012ohm
Power Dissipation Pd
250W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit