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2 568 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 1,050 $ |
10+ | 0,765 $ |
25+ | 0,708 $ |
50+ | 0,650 $ |
100+ | 0,593 $ |
500+ | 0,516 $ |
1000+ | 0,491 $ |
2500+ | 0,479 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantTSHF6410
Code Commande79R6659
Fiche technique
Peak Wavelength890nm
Angle of Half Intensity22°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)30mW/Sr
Rise Time30ns
Fall Time tf30ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.4V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
The TSHF6410 is a 890nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology. It is moulded in a clear, untinted plastic package. It is suitable for use in infrared high speed remote control and free air data transmission systems with high modulation frequencies or high data transmission rate requirements. Transmission systems according to IrDA requirements and for carrier frequency based systems (e.g. ASK/FSK -coded, 450KHz or 1.3MHz).
- High speed
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- ϕ = ±22° Angle of half intensity
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
- 12MHz High modulation bandwidth (fc)
Spécifications techniques
Peak Wavelength
890nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
30ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
22°
Radiant Intensity (Ie)
30mW/Sr
Fall Time tf
30ns
Forward Voltage VF Max
1.4V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits