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TSTS7100
Infrared Emitter, 950 nm, 5 °, TO-18, 800 mW/Sr, 800 ns
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,160 $ |
| 10+ | 3,780 $ |
| 25+ | 3,510 $ |
| 50+ | 3,260 $ |
| 100+ | 2,980 $ |
| 500+ | 2,840 $ |
| 1000+ | 2,730 $ |
| 2500+ | 2,670 $ |
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Minimum: 1
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantTSTS7100
Code Commande46Y2652
Fiche technique
Peak Wavelength950nm
Angle of Half Intensity5°
Diode Case StyleTO-18
Radiant Intensity (Ie)800mW/Sr
Rise Time800ns
Fall Time tf-
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.3V
Operating Temperature Min-
Operating Temperature Max-
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
950nm emitting diode in GaAs technology in a hermetically sealed package suitable for use in radiation source in near infrared range.
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Angle of half intensity: ϕ = ±5°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
Spécifications techniques
Peak Wavelength
950nm
Diode Case Style
TO-18
Rise Time
800ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
5°
Radiant Intensity (Ie)
800mW/Sr
Fall Time tf
-
Forward Voltage VF Max
1.3V
Operating Temperature Max
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
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