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VEMT2000X01
Phototransistor, 860 nm, 30 °, 2 Pins, SMD
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,060 $ |
| 10+ | 0,668 $ |
| 25+ | 0,630 $ |
| 50+ | 0,591 $ |
| 100+ | 0,554 $ |
| 250+ | 0,527 $ |
| 500+ | 0,499 $ |
| 1000+ | 0,441 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
5,30 $
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Aperçu du produit
Silicon NPN phototransistor suitable for detector in automotive applications, photo interrupters, miniature switches, counters, encoders and position sensors.
- AEC-Q101 qualified
- High radiant sensitivity
- Daylight blocking filter matched with 830nm to 950nm IR emitters
- Fast response times
Spécifications techniques
Wavelength Typ
860nm
Power Consumption
-
Transistor Case Style
SMD
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Viewing Angle
30°
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
MSL 2A - 4 weeks
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit