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WMSC008H12B2P6T
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 157 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, WeEnPACK-B2
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 112,740 $ |
| 5+ | 110,230 $ |
| 10+ | 107,620 $ |
| 36+ | 106,300 $ |
| 60+ | 105,030 $ |
| 108+ | 99,890 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
112,74 $
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Informations produit
FabricantWEEN SEMICONDUCTORS
Réf. FabricantWMSC008H12B2P6T
Code Commande27AM4931
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id157A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.013ohm
Transistor Case StyleWeEnPACK-B2
No. of Pins36Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation272W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
157A
Drain Source On State Resistance
0.013ohm
No. of Pins
36Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
WeEnPACK-B2
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
272W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit