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WNSC2M20120TB6J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 134 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, TSPAK
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 22,180 $ |
| 10+ | 20,610 $ |
| 25+ | 19,250 $ |
| 50+ | 17,910 $ |
| 100+ | 16,560 $ |
| 250+ | 15,630 $ |
| 500+ | 14,840 $ |
| 1200+ | 14,230 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
22,18 $
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Informations produit
FabricantWEEN SEMICONDUCTORS
Réf. FabricantWNSC2M20120TB6J
Code Commande27AM4938
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id134A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.029ohm
Transistor Case StyleTSPAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation592W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
134A
Drain Source On State Resistance
0.029ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TSPAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
592W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit