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C3M0065090D
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
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700 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 18,810 $ |
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Minimum: 1
Multiple: 1
18,81 $
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Informations produit
FabricantWOLFSPEED
Réf. FabricantC3M0065090D
Code Commande98Y6016
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id36A
On Resistance Rds(on)0.065ohm
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Power Dissipation Pd125W
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation125W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
On Resistance Rds(on)
0.065ohm
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
No. of Pins
3Pins
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
125W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
TO-247
Power Dissipation Pd
125W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
Operating Temperature Max
150°C
MSL
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits