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CAB450M12XM3
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 450 A, 1.2 kV, 0.0026 ohm, Module
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2 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1 371,020 $ |
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Minimum: 1
Multiple: 1
1 371,02 $
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Informations produit
FabricantWOLFSPEED
Réf. FabricantCAB450M12XM3
Code Commande21AH3192
Fiche technique
Transistor PolarityDual N Channel
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id450A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.0026ohm
Drain Source On State Resistance0.0026ohm
Transistor Case StyleModule
Power Dissipation Pd-
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
Applications
Medical
Spécifications techniques
Transistor Polarity
Dual N Channel
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.0026ohm
Power Dissipation Pd
-
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
-
Product Range
-
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
450A
On Resistance Rds(on)
0.0026ohm
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits