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CAS120M12BM2
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 193 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, Module
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Informations produit
FabricantWOLFSPEED
Réf. FabricantCAS120M12BM2
Code Commande98Y6007
Fiche technique
Transistor PolarityDual N Channel
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id193A
On Resistance Rds(on)0.013ohm
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.013ohm
Transistor Case StyleModule
Power Dissipation Pd925W
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation925W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Aperçu du produit
Applications
Medical
Spécifications techniques
Transistor Polarity
Dual N Channel
Channel Type
Dual N Channel
On Resistance Rds(on)
0.013ohm
Drain Source On State Resistance
0.013ohm
Power Dissipation Pd
925W
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
925W
Product Range
-
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
193A
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificat de conformité du produit