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XP3A020M
Dual MOSFET, Dual N Channel, 30 V, 7.8 A, 0.02 ohm
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FabricantYAGEO XSEMI
Réf. FabricantXP3A020MCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant13 semaines
Code Commande11AM9027
Gamme de produitXP3A020 Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 13 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,160 $ |
| 10+ | 0,951 $ |
| 15+ | 0,840 $ |
| 25+ | 0,748 $ |
| 50+ | 0,641 $ |
| 125+ | 0,563 $ |
| 250+ | 0,445 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
5,80 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantYAGEO XSEMI
Réf. FabricantXP3A020MCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant13 semaines
Code Commande11AM9027
Gamme de produitXP3A020 Series
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel7.8A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.02ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP3A020 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2019)
Spécifications techniques
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
XP3A020 Series
SVHC
No SVHC (15-Jan-2019)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
7.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.02ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2019)
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Certificat de conformité du produit