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XP3N1R7CMT
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 160 A, 0.0017 ohm, PMPAK, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 13 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,510 $ |
| 100+ | 1,160 $ |
| 250+ | 1,050 $ |
| 500+ | 0,945 $ |
| 1000+ | 0,870 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
7,55 $
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Informations produit
FabricantYAGEO XSEMI
Réf. FabricantXP3N1R7CMT
Code Commande11AM9030
Gamme de produitXP3N1R7C Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id160A
Drain Source On State Resistance0.0017ohm
Transistor Case StylePMPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation69.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP3N1R7C Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2019)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
160A
Transistor Case Style
PMPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
XP3N1R7C Series
SVHC
No SVHC (15-Jan-2019)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (15-Jan-2019)
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Certificat de conformité du produit