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AS6C8016-55ZIN
SRAM, Asynchronous, 8 Mbit, 512K x 16bit, TSOP-II, 44 Pins, 2.7 V
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Informations produit
FabricantALLIANCE MEMORY
Réf. FabricantAS6C8016-55ZIN
Code Commande82AK3855
Fiche technique
SRAM TypeAsynchronous
Memory Density8Mbit
Memory Configuration512K x 16bit
IC Case / PackageTSOP-II
No. of Pins44Pins
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max5.5V
Supply Voltage Nom3V
Clock Frequency Max-
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
AS6C8016-55ZIN is a 512K X 16bit super low power CMOS SRAM. It is an 8,388,608-bit low-power CMOS static random access memory organized as 524,288 words by 16 bits. It is fabricated using very high-performance, high-reliability CMOS technology. Its standby current is stable within the range of operating temperature. It is well designed for low power applications, and particularly well suited for battery back-up nonvolatile memory applications.
- Fast access time : 55ns
- Low power consumption: 30mA (typical) operating current
- Single 2.7V to 5.5V power supply
- All inputs and outputs TTL compatible
- Fully static operation, tri-state output
- Data retention voltage is 1.5V (minimum)
- 44pin TSOP II package
- Industrial operating temperature range from -40°C to 85°C
Spécifications techniques
SRAM Type
Asynchronous
Memory Configuration
512K x 16bit
No. of Pins
44Pins
Supply Voltage Max
5.5V
Clock Frequency Max
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Memory Density
8Mbit
IC Case / Package
TSOP-II
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
3V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit