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BROADCOM AFBR-S4N44P163
Silicon Photomultiplier, 3.72mm x 3.72mm, 30µm/15060 Microcells, 420nm, WLCSP-32
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- Fabricant :
- BROADCOM BROADCOM
- Réf. Fabricant:
- AFBR-S4N44P163
- Code Commande :
- 95AC1004
-
- Gamme de produits
- AFBR-S4N44 Series SiPM Array
- Fiche technique:
- AFBR-S4N44P163 Fiche de données
- ECAD / MCAD
-
Sélecteur de gamme de produits (AFBR-S4N44 Series SiPM Array)
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AFBR-S4N44P163 is a 4×4 NUV-HD silicon photo multiplier array. It is used for ultra-sensitive precision measurements of single photons. The pitch of SiPMs is 4mm in both directions. High packing density of the single chips is achieved using through-silicon-via (TSV) technology. Larger areas can be covered with a pitch of 16mm by tiling multiple AFBR-S4N44P163 arrays almost without any edge losses. The passivation layer is made by a glass highly transparent down to UV wavelengths, resulting in a broad response in the visible light spectrum with high sensitivity towards blue- and near-UV region of the light spectrum. Applications include X-ray and gamma ray detection, gamma ray spectroscopy, safety and security, nuclear medicine, positron emission tomography, life sciences, flow cytometry, fluorescence – luminescence measurements, time correlated single photon counting, high energy physics, astrophysics.
- High PDE of more than 55% at 420nm, high fill factors
- Excellent SPTR and CRT
- Excellent uniformity of breakdown voltage, 180mV (3 sigma)
- Excellent uniformity of gain
- With TSV technology (4-side tilable)
- Size 15.9 × 15.9mm², cell pitch 30 × 30μm²
- Highly transparent glass protection layer
- Operating temperature range from -20°C to +50°C
- Spectral range from 300 to 900nm, peak sensitivity wavelength is 420nm
- 26.9V breakdown voltage, 26mV/K temperature coefficient of breakdown voltage
Informations produit
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- :
- AFBR-S4N44 Series SiPM Array
- :
- 3.72mm × 3.72mm
- :
- 30µm
- :
- 15060Microcells
- :
- 420nm
- :
- WLCSP
- :
- 32Pins
- :
- MSL 2 - 1 year
Documents techniques (2)
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