Imprimer la page
ZXMHC6A07N8TC
Dual MOSFET, Complementary Dual N and Dual P Channel, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A, 0.25 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXMHC6A07N8TCCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant41 semaines
Code Commande
Mise en bobine29AK9153RL
Bandes découpées29AK9153
Votre numéro de pièce
5 203 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,510 $ | 2,51 $ |
| Total Prix | 2,51 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,510 $ |
| 10+ | 1,690 $ |
| 25+ | 1,530 $ |
| 50+ | 1,370 $ |
| 100+ | 1,220 $ |
| 250+ | 1,110 $ |
| 500+ | 1,010 $ |
| 1000+ | 0,943 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXMHC6A07N8TCCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant41 semaines
Code Commande
Mise en bobine29AK9153RL
Bandes découpées29AK9153
Fiche technique
Channel TypeComplementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id1.39A
Continuous Drain Current Id N Channel1.39A
Continuous Drain Current Id P Channel1.39A
Drain Source On State Resistance N Channel0.25ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.4ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel870mW
Power Dissipation P Channel870mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
1.39A
Continuous Drain Current Id P Channel
1.39A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.4ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
870mW
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.39A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.25ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
870mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit