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DMG6602SVT
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG6602SVTCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande65T8213
Votre numéro de pièce
28 730 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,464 $ |
| 10+ | 0,366 $ |
| 15+ | 0,217 $ |
| 25+ | 0,179 $ |
| 50+ | 0,161 $ |
| 125+ | 0,146 $ |
| 250+ | 0,136 $ |
| 500+ | 0,135 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
Multiple: 5
2,32 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG6602SVTCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande65T8213
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id3.4A
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel3.4A
Continuous Drain Current Id P Channel2.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.06ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.095ohm
Transistor Case StyleTSOT-26
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel840mW
Power Dissipation P Channel840mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
The DMG6602SVT from Diode Inc is a surface mount complementary pair enhancement mode MOSFET in TSOT-26 package. This MOSFET features low input capacitance, fast switching speed and low input/output leakage, designed to minimize the onstate resistance and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications and backlighting.
- Automotive grade AEC-Q101 qualified
- UL recognized
- Drain to source voltage (Vds) of 30V
- Gate to source voltage (Vgs) of ±20V
- Continuous drain current of 3.4A
- Power dissipation (Pd) of 1.27W
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
- Low on state resistance of 38mohm at Vgs of 10V
Applications
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, Automotive
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
3.4A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.095ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
840mW
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.06ohm
Transistor Case Style
TSOT-26
Power Dissipation N Channel
840mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (1)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits