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SI4599DY-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.0355 ohm
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4599DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète15R5059
Bobine complète86AK6298
Mise en bobine55R1926RL
Bandes découpées55R1926
Votre numéro de pièce
351 En Stock
351 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,930 $ | 1,93 $ |
| Total Prix | 1,93 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,930 $ |
| 50+ | 1,210 $ |
| 100+ | 0,801 $ |
| 250+ | 0,713 $ |
| 500+ | 0,625 $ |
| 1000+ | 0,568 $ |
| 2500+ | 0,521 $ |
| 5000+ | 0,488 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,654 $ |
| 5000+ | 0,078 $ |
| 7500+ | 0,613 $ |
| 10000+ | 0,074 $ |
| 12500+ | 0,601 $ |
| 20000+ | 0,070 $ |
| 30000+ | 0,067 $ |
| 50000+ | 0,064 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4599DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète15R5059
Bobine complète86AK6298
Mise en bobine55R1926RL
Bandes découpées55R1926
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Continuous Drain Current Id6.8A
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel6.8A
Continuous Drain Current Id P Channel6.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0355ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.045ohm
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
The SI4599DY-T1-GE3 is a 40V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for backlight inverter for LCD display and full bridge converter applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
6.8A
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
6.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.045ohm
Power Dissipation N Channel
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0355ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4599DY-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit