Imprimer la page
DMN12M7UCA10-7
MOSFET, DUAL, N-CH, 12V, 20.2A
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN12M7UCA10-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande
Mise en bobine28AK8476RL
Bandes découpées28AK8476
Votre numéro de pièce
4 165 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,960 $ | 1,96 $ |
| Total Prix | 1,96 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,960 $ |
| 10+ | 1,240 $ |
| 25+ | 1,100 $ |
| 50+ | 0,961 $ |
| 100+ | 0,822 $ |
| 250+ | 0,732 $ |
| 500+ | 0,641 $ |
| 1000+ | 0,547 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN12M7UCA10-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande
Mise en bobine28AK8476RL
Bandes découpées28AK8476
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Continuous Drain Current Id20.2A
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id N Channel20.2A
Continuous Drain Current Id P Channel20.2A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleX4-DSN3015
No. of Pins10Pins
Power Dissipation N Channel1.73W
Power Dissipation P Channel1.73W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id P Channel
20.2A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
10Pins
Power Dissipation P Channel
1.73W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
12V
Continuous Drain Current Id
20.2A
Continuous Drain Current Id N Channel
20.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
X4-DSN3015
Power Dissipation N Channel
1.73W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit