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IXTN600N04T2
Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 600 A, 40 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3.5 V
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTN600N04T2Copie
Code Commande03AH1600
Gamme de produitTrenchT2 GigaMOS Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 46,870 $ |
| 5+ | 40,800 $ |
| 10+ | 36,990 $ |
| 25+ | 35,730 $ |
| 50+ | 34,600 $ |
| 100+ | 34,020 $ |
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTN600N04T2Copie
Code Commande03AH1600
Gamme de produitTrenchT2 GigaMOS Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id600A
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source On State Resistance0.0013ohm
On Resistance Rds(on)0.0013ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation940W
Operating Temperature Max175°C
Power Dissipation Pd940W
Product RangeTrenchT2 GigaMOS Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
600A
Drain Source On State Resistance
0.0013ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
940W
Power Dissipation Pd
940W
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0013ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
TrenchT2 GigaMOS Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits