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| Fabricant | IXYS SEMICONDUCTOR |
|---|---|
| Réf. Fabricant | IXTN210P10TCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 29 semaines |
| Code Commande | 71AH4575 |
| Gamme de produit | TrenchP Series |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
117 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 74,050 $ |
| 5+ | 65,170 $ |
| 10+ | 56,290 $ |
| 25+ | 53,350 $ |
| 50+ | 50,410 $ |
| 100+ | 49,410 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
74,05 $
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | IXYS SEMICONDUCTOR |
|---|---|
| Réf. Fabricant | IXTN210P10TCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 29 semaines |
| Code Commande | 71AH4575 |
| Gamme de produit | TrenchP Series |
| Fiche technique | |
| Channel Type | P Channel |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Continuous Drain Current Id | 210A |
| Drain Source Voltage Vds | 100V |
| On Resistance Rds(on) | 0.0075ohm |
| Drain Source On State Resistance | 7500µohm |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4.5V |
| Power Dissipation | 830W |
| Power Dissipation Pd | 830W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | TrenchP Series |
| SVHC | To Be Advised |
Aperçu du produit
IXTN210P10T is a TrenchP™ power MOSFET. Suitable for high-side switching, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators and battery charger applications.
- P-channel enhancement mode
- Avalanche rated and fast intrinsic rectifier
- International standard package
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Extended FBSOA and low RDS(ON) and QG
- Easy to mount, space savings and high power density
- 210A continuous drain current Id
- 100V drain source voltage Vds, 10V Rds(on) test voltage, 4.5V max gate source threshold voltage
- 0.0075ohm drain source on state resistance
Spécifications techniques
| Channel Type | P Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 210A |
| On Resistance Rds(on) | 0.0075ohm |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Power Dissipation | 830W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| SVHC | To Be Advised |
| Transistor Polarity | P Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 100V |
| Drain Source On State Resistance | 7500µohm |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4.5V |
| Power Dissipation Pd | 830W |
| Product Range | TrenchP Series |
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | To Be Advised |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |