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NXH020U90MNF2PTG
Silicon Carbide MOSFET, Half-Bridge Module, Dual N Channel, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Module
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 18 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 10+ | 216,010 $ |
| 40+ | 208,880 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 20
Multiple: 20
4 320,20 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH020U90MNF2PTG
Code Commande57AK6429
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf-Bridge Module
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id149A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.01003ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins20Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation352W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half-Bridge Module
Continuous Drain Current Id
149A
Drain Source On State Resistance
0.01003ohm
No. of Pins
20Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
352W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NXH020U90MNF2PTG
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits