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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules:
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Acheteur
Ingénieur
Fabricant
MOSFET Module Configuration
Transistor Polarity
Channel Type
Continuous Drain Current Id
Drain Source Voltage Vds
On Resistance Rds(on)
Drain Source On State Resistance
Transistor Case Style
No. of Pins
Rds(on) Test Voltage
Gate Source Threshold Voltage Max
Power Dissipation Pd
Power Dissipation
Operating Temperature Max
Emballage
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| Comparer | Prix pour | Quantité | |||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Each | 1+ 20,810 $ 10+ 15,170 $ 25+ 14,700 $ 60+ 14,240 $ 120+ 13,770 $ | Min : 1 / Mult : 1 | Single | N Channel | N Channel | 20A | 1.2kV | 0.169ohm | 0.169ohm | HiP247 | 3Pins | 20V | 3.5V | 175W | 175W | 200°C | |||||
Each | 1+ 24,510 $ 10+ 22,230 $ 25+ 21,260 $ 60+ 20,590 $ 120+ 19,920 $ Plus de tarifs | Min : 1 / Mult : 1 | Single | N Channel | N Channel | 20A | 1.2kV | 0.169ohm | 0.169ohm | TO-247 | 3Pins | 20V | 3.5V | 153W | 153W | 200°C | |||||
