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SCT20N120AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, TO-247
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 23 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 24,510 $ |
| 10+ | 22,230 $ |
| 25+ | 21,260 $ |
| 60+ | 20,590 $ |
| 120+ | 19,920 $ |
| 270+ | 19,480 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
24,51 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT20N120AG
Code Commande69AH2149
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id20A
On Resistance Rds(on)0.169ohm
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.169ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Power Dissipation Pd153W
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation153W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
On Resistance Rds(on)
0.169ohm
Drain Source On State Resistance
0.169ohm
No. of Pins
3Pins
Power Dissipation Pd
153W
Power Dissipation
153W
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits