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DMN2300UFD-7
MOSFET, N-CH, 20V, 1.21A, X1-DFN1212 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN2300UFD-7
Code Commande
Mise en bobine28AK8513
Bandes découpées28AK8513
Votre numéro de pièce
Fiche technique
3 000 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,630 $ |
| 10+ | 0,424 $ |
| 25+ | 0,378 $ |
| 50+ | 0,331 $ |
| 100+ | 0,285 $ |
| 250+ | 0,252 $ |
| 500+ | 0,220 $ |
| 1000+ | 0,199 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN2300UFD-7
Code Commande
Mise en bobine28AK8513
Bandes découpées28AK8513
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.21A
On Resistance Rds(on)0.2ohm
Drain Source On State Resistance0.2ohm
Transistor Case StyleX1-DFN1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max950mV
Power Dissipation470mW
Power Dissipation Pd470mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.2ohm
Transistor Case Style
X1-DFN1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
470mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.21A
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
950mV
Power Dissipation Pd
470mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits