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NTMS10P02R2G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 10 mA, 0.014 ohm, SOIC, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,380 $ |
| 3000+ | 1,340 $ |
| 6000+ | 1,250 $ |
| 12000+ | 1,150 $ |
| 18000+ | 1,120 $ |
| 30000+ | 1,100 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
3 450,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMS10P02R2G
Code Commande61K1292
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id10mA
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Drain Source On State Resistance0.014ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max880mV
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
10mA
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
880mV
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit