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FQD19N10LTM
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQD19N10LTMCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant6 semaines
Code Commande
Bobine complète82C4028
Bandes découpées15AN1467
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 6 semaine(s)
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 2500 | 0,780 $ | 1 950,00 $ |
| Total Prix | 1 950,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,780 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,850 $ |
| 7500+ | 0,806 $ |
| 12500+ | 0,790 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQD19N10LTMCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant6 semaines
Code Commande
Bobine complète82C4028
Bandes découpées15AN1467
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id15.6A
Drain Source On State Resistance0.074ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
15.6A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.074ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
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