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SISS66DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 178.3 A, 0.00138 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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14 559 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,620 $ | 3,62 $ |
| Total Prix | 3,62 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,620 $ |
| 50+ | 2,460 $ |
| 100+ | 1,790 $ |
| 250+ | 1,650 $ |
| 500+ | 1,490 $ |
| 1000+ | 1,390 $ |
| 2500+ | 1,370 $ |
| 5000+ | 1,350 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS66DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant25 semaines
Code Commande
Mise en bobine10AH0980RL
Bandes découpées10AH0980
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id178.3A
On Resistance Rds(on)0.00115ohm
Drain Source On State Resistance0.00138ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd65.8W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation65.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.00115ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel + Schottky
Continuous Drain Current Id
178.3A
Drain Source On State Resistance
0.00138ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
65.8W
Power Dissipation
65.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit