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RFD12N06RLESM9A
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 17 mA, 0.063 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 30 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,982 $ |
| 3000+ | 0,951 $ |
| 6000+ | 0,886 $ |
| 12000+ | 0,821 $ |
| 18000+ | 0,798 $ |
| 30000+ | 0,786 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
2 455,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantRFD12N06RLESM9A
Code Commande05B7455
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id17mA
Drain Source On State Resistance0.063ohm
On Resistance Rds(on)0.063ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd49W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation49W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The RFD12N06RLESM is an UltraFET N-channel Power MOSFET with ultra-low ON-resistance.
- Temperature compensated PSPICE®/SABER© electrical, SPICE/SABER© thermal impedance simulation models
- Peak current vs. pulse width curve
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.063ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
49W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17mA
On Resistance Rds(on)
0.063ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
49W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit