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NTMFS0D4N04XMT1G
MOSFET, N-CHANNEL, 40V, 509A, DFN
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMFS0D4N04XMT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Bobine complète87AK0311
Mise en bobine97AK7412RL
Bandes découpées97AK7412
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 5,710 $ | 5,71 $ |
| Total Prix | 5,71 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,710 $ |
| 50+ | 3,780 $ |
| 100+ | 2,700 $ |
| 250+ | 2,470 $ |
| 500+ | 2,240 $ |
| 1000+ | 2,200 $ |
| 2500+ | 2,160 $ |
| 5000+ | 2,120 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1500+ | 2,440 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMFS0D4N04XMT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Bobine complète87AK0311
Mise en bobine97AK7412RL
Bandes découpées97AK7412
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id509A
Drain Source On State Resistance420µohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation197W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
509A
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
197W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
420µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour NTMFS0D4N04XMT1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit