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FDN8601
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN8601Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine88T3350RL
Bandes découpées88T3350
Votre numéro de pièce
1 586 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,140 $ | 1,14 $ |
| Total Prix | 1,14 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,140 $ |
| 50+ | 0,708 $ |
| 100+ | 0,461 $ |
| 250+ | 0,407 $ |
| 500+ | 0,353 $ |
| 1000+ | 0,319 $ |
| 2500+ | 0,312 $ |
| 5000+ | 0,307 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN8601Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine88T3350RL
Bandes découpées88T3350
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id2.7A
On Resistance Rds(on)0.0854ohm
Drain Source On State Resistance0.0854ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.5W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDN8601 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It is suitable for primary DC-to-DC switch and load switch applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- Fast switching speed
- 100% UIL tested
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0854ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.7A
Drain Source On State Resistance
0.0854ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.5W
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit