Imprimer la page
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 26 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,080 $ |
| 10+ | 2,580 $ |
| 100+ | 1,800 $ |
| 500+ | 1,460 $ |
| 1000+ | 1,340 $ |
| 2500+ | 1,310 $ |
| 5000+ | 1,270 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
4,08 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHD9N60E-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande15AC8632
Gamme de produitE
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id9A
On Resistance Rds(on)0.32ohm
Drain Source On State Resistance0.368ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd78W
Power Dissipation78W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.32ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
78W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
9A
Drain Source On State Resistance
0.368ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIHD9N60E-GE3
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit

