Imprimer la page
IXTH05N250P3HV
Power MOSFET, N Channel, 2.5 kV, 500 mA, 110 ohm, TO-247HV, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTH05N250P3HVCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande14AN3406
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 28 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 300+ | 9,480 $ |
| 600+ | 9,440 $ |
| 900+ | 9,180 $ |
| 1500+ | 8,930 $ |
| 3000+ | 8,750 $ |
| 7500+ | 8,570 $ |
| 15000+ | 8,400 $ |
| 30000+ | 8,220 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 300
Multiple: 300
2 844,00 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTH05N250P3HVCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande14AN3406
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds2.5kV
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance110ohm
Transistor Case StyleTO-247HV
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation104W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
Transistor Case Style
TO-247HV
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
2.5kV
Drain Source On State Resistance
110ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit