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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,643 $ |
| 5000+ | 0,625 $ |
| 10000+ | 0,616 $ |
| 20000+ | 0,608 $ |
| 40000+ | 0,599 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
1 607,50 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTD20P06LT4G.Copie
Code Commande14AC9908
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id15.5A
Drain Source On State Resistance0.143ohm
On Resistance Rds(on)0.143ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Power Dissipation Pd65W
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation65W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NTD20P06LT4G is a -60V Single P-channel Power MOSFET designed for bridge circuits, power supplies and power motor controls as well as DC-DC conversion. The MOSFET withstands high energy in avalanche and commutation modes.
- Low gate charge for fast switching
- AEC-Q101 qualified
Applications
Motor Drive & Control, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.143ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
15.5A
On Resistance Rds(on)
0.143ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
65W
Power Dissipation
65W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NTD20P06LT4G.
1 produit trouvé
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4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
