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SIR632DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 29 A, 0.0345 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR632DP-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6237
Mise en bobine15AC8643RL
Bandes découpées15AC8643
Gamme de produitThunderFET
Votre numéro de pièce
3 071 En Stock
3 071 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 3,180 $ | 15,90 $ |
| Total Prix | 15,90 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 3,180 $ |
| 10+ | 2,060 $ |
| 15+ | 1,920 $ |
| 25+ | 1,780 $ |
| 50+ | 1,620 $ |
| 125+ | 1,480 $ |
| 250+ | 1,380 $ |
| 500+ | 1,280 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,320 $ |
| 4000+ | 1,220 $ |
| 6000+ | 1,180 $ |
| 10000+ | 1,160 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR632DP-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6237
Mise en bobine15AC8643RL
Bandes découpées15AC8643
Gamme de produitThunderFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.0345ohm
On Resistance Rds(on)0.0285ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd69.5W
Power Dissipation69.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeThunderFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
N-channel 150V (D-S) MOSFET suitable for use in fixed telecom, DC/DC converter, primary and secondary side switch, battery management and synchronous rectification.
- ThunderFET® technology optimizes balance of RDS(on), Qi, Qsw and Qoss
- 100% Rg and UIS tested
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0345ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
69.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
ThunderFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
On Resistance Rds(on)
0.0285ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
69.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIR632DP-T1-RE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit