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NVBLS1D7N10MCTXG
MOSFET, N-CH, 100V, 265A, H-PSOF
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBLS1D7N10MCTXGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine86AK5869RL
Bandes découpées86AK5869
Votre numéro de pièce
1 979 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 12,720 $ | 12,72 $ |
| Total Prix | 12,72 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 12,720 $ |
| 50+ | 7,630 $ |
| 100+ | 7,140 $ |
| 250+ | 7,060 $ |
| 500+ | 6,960 $ |
| 1000+ | 6,820 $ |
| 2500+ | 6,690 $ |
| 5000+ | 6,550 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBLS1D7N10MCTXGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine86AK5869RL
Bandes découpées86AK5869
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id265A
Drain Source On State Resistance1800µohm
Transistor Case StyleH-PSOF
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation303W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
265A
Transistor Case Style
H-PSOF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
303W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
1800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Produits de remplacement pour NVBLS1D7N10MCTXG
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit