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IPA60R190E6XKSA1
MOSFET, N CH, 650V, 20.2A, TO-220-3
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPA60R190E6XKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande11AC3248
Gamme de produitCoolMOS E6 Series
Votre numéro de pièce
374 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,570 $ |
| 10+ | 3,080 $ |
| 25+ | 2,700 $ |
| 50+ | 2,340 $ |
| 100+ | 2,020 $ |
| 250+ | 1,690 $ |
| 500+ | 1,670 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,57 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPA60R190E6XKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande11AC3248
Gamme de produitCoolMOS E6 Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id20.2A
Drain Source On State Resistance0.19ohm
On Resistance Rds(on)0.17ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd34W
Power Dissipation34W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS E6 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
34W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS E6 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
20.2A
On Resistance Rds(on)
0.17ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
34W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit