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GD100FFY120C5S
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.2KV, 157A
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FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD100FFY120C5SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande84AH5696
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 24 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 153,850 $ |
| 5+ | 150,840 $ |
| 10+ | 147,700 $ |
| 36+ | 146,130 $ |
| 60+ | 144,620 $ |
| 108+ | 138,440 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
153,85 $
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD100FFY120C5SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande84AH5696
Fiche technique
IGBT ConfigurationThree Phase Full Bridge
Continuous Collector Current157A
DC Collector Current157A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Power Dissipation Pd512W
Power Dissipation512W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Three Phase Full Bridge
DC Collector Current
157A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation
512W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
157A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation Pd
512W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit