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FF650R17IE4DB2BOSA1
IGBT Module, Dual, 930 A, 2.45 V, 4.15 kW, 150 °C, Module
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF650R17IE4DB2BOSA1
Code Commande84R7187
Gamme de produitPrimePACK 2 Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 20 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 676,240 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
676,24 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF650R17IE4DB2BOSA1
Code Commande84R7187
Gamme de produitPrimePACK 2 Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
IGBT ConfigurationDual
Continuous Collector Current930A
DC Collector Current650A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.45V
Power Dissipation4.15kW
Power Dissipation Pd4.15kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
No. of Pins10Pins
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyIGBT 4
Transistor MountingPanel
Product RangePrimePACK 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
FF650R17IE4DB2BOSA1 is a Prime PACK™2 module and NTC. Applications include 3-level-applications, auxiliary inverters, high power converters, motor drives, traction drives, wind turbines.
- Extended operation temperature Tvj op, high DC stability
- High current density, low switching losses
- Enlarged diode for regenerative operation, low VCEsat
- High creepage and clearance distances
- High power and thermal cycling capability
- High power density, copper base plate
- 930A continuous DC collector current (TC = 25°C, Tvj max = 175°C)
- 5.8V typical gate threshold voltage (IC = 24,0mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C)
- 2.3ohm typical internal gate resistor (Tvj = 25°C)
- Temperature range from -40 to +150°C (under switching conditions)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
930A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7kV
Power Dissipation
4.15kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
Junction Temperature, Tj Max
150°C
IGBT Termination
Tab
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
IGBT Configuration
Dual
DC Collector Current
650A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.45V
Power Dissipation Pd
4.15kW
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
10Pins
IGBT Technology
IGBT 4
Product Range
PrimePACK 2 Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits