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HGTD1N120BNS9A
IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pins
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantHGTD1N120BNS9ACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète82C5178
Mise en bobine31Y1823RL
Bandes découpées31Y1823
Votre numéro de pièce
5 915 En Stock
5 915 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,510 $ | 3,51 $ |
| Total Prix | 3,51 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,510 $ |
| 50+ | 2,370 $ |
| 100+ | 1,720 $ |
| 250+ | 1,580 $ |
| 500+ | 1,430 $ |
| 1000+ | 1,340 $ |
| 2500+ | 1,320 $ |
| 5000+ | 1,290 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,420 $ |
| 3000+ | 1,360 $ |
| 6000+ | 1,310 $ |
| 12000+ | 1,210 $ |
| 18000+ | 1,170 $ |
| 30000+ | 1,140 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantHGTD1N120BNS9ACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète82C5178
Mise en bobine31Y1823RL
Bandes découpées31Y1823
Fiche technique
DC Collector Current5.3A
Continuous Collector Current5.3A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.5V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5V
Power Dissipation60W
Power Dissipation Pd60W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleTO-252AA
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The HGTD1N120BNS9A is a N-channel Non-punch Through (NPT) IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS and solar inverter. It is new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. It combines the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor.
- Short-circuit rating
- Avalanche rated
- 2.5V @ IC = 1A Low saturation voltage
- 258ns Fall time @ TJ = 150°C
- 298W Total power dissipation @ TC = 25°C
Spécifications techniques
DC Collector Current
5.3A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.5V
Power Dissipation
60W
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Case Style
TO-252AA
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Continuous Collector Current
5.3A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5V
Power Dissipation Pd
60W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour HGTD1N120BNS9A
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit