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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 4 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,070 $ |
| 6000+ | 0,062 $ |
| 18000+ | 0,055 $ |
| 30000+ | 0,048 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
210,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBC847BPDW1T1G
Code Commande29X5979
Fiche technique
Transistor PolarityNPN, PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo45V
Collector Emitter Voltage Max45V
Transition Frequency100MHz
Power Dissipation380mW
Power Dissipation Pd380mW
DC Collector Current100mA
Continuous Collector Current100mA
DC Current Gain hFE200hFE
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
RF Transistor CaseSOT-363
DC Current Gain hFE Min200hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The BC847BPDW1T1G is a NPN-PNP dual General Purpose Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in a surface-mount package for low power applications.
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max
45V
Power Dissipation
380mW
DC Collector Current
100mA
DC Current Gain hFE
200hFE
No. of Pins
6Pins
DC Current Gain hFE Min
200hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
45V
Transition Frequency
100MHz
Power Dissipation Pd
380mW
Continuous Collector Current
100mA
Transistor Case Style
SOT-363
RF Transistor Case
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BC847BPDW1T1G
3 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit