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UF3N170400B7S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 6.8 A, 1.7 kV, 400 mohm, D2PAK
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF3N170400B7SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Mise en bobine78AK8899
Bandes découpées78AK8899
Votre numéro de pièce
469 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 15,340 $ | 15,34 $ |
| Total Prix | 15,34 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 15,340 $ |
| 10+ | 10,650 $ |
| 25+ | 10,070 $ |
| 50+ | 9,470 $ |
| 100+ | 8,890 $ |
| 250+ | 8,590 $ |
| 500+ | 8,290 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF3N170400B7SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Mise en bobine78AK8899
Bandes découpées78AK8899
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id6.8A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance400mohm
Transistor Case StyleD2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max-6.7V
Power Dissipation68W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
6.8A
Drain Source On State Resistance
400mohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
-6.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Transistor Case Style
D2PAK
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
68W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit