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FF6MR12W2M1PB11BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, Module
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF6MR12W2M1PB11BPSA1
Code Commande91AH7523
Gamme de produitEasyDUAL CoolSiC
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| Quantité | Prix | Tarif promotionnel |
|---|---|---|
| 1+ | 441,080 $ | 107,340 $ |
| 5+ | 434,870 $ | 107,340 $ |
| 10+ | 428,650 $ | 107,340 $ |
| 25+ | 422,450 $ | 107,340 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF6MR12W2M1PB11BPSA1
Code Commande91AH7523
Gamme de produitEasyDUAL CoolSiC
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Transistor PolarityDual N Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.00563ohm
On Resistance Rds(on)0.00563ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEasyDUAL CoolSiC
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Transistor Polarity
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.00563ohm
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyDUAL CoolSiC
Channel Type
Dual N Channel
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
0.00563ohm
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit